ICP-MS 常見的(de)幹擾(rao)有(you)哪(na)些(xie)？

ICP-MS 是以(yi)電(dian)感耦(ou)合等(deng)離(li)子體作(zuo)為(wei)離(li)子源, 以(yi)質(zhi)譜進(jin)行檢(jian)測的(de)無機(ji)多(duo)元(yuan)素(su)分析技(ji)術(shu)。常見幹擾(rao)有(you)：

1、同(tong)量異(yi)位(wei)離子幹擾(rao)

來(lai)源：兩(liang)種不同元素(su)的(de)質(zhi)量幾乎(hu)相同(tong)的(de)同(tong)位(wei)素所造成(cheng)的(de)幹擾(rao)。

如(ru)：133In+——133Cd+
        115In+——115Sn+
          40Ar+——40Ca+

消除：另(ling)選(xuan)測定(ding)同(tong)位素(su)、采用高(gao)分辨質譜儀(yi)、計(ji)算機(ji)軟件校(xiao)正。

 

2、多(duo)原(yuan)子分子離子幹擾(rao)

來(lai)源：在(zai)離(li)子的(de)引(yin)出(chu)過(guo)程中，由(you)等離(li)子體中的(de)組(zu)分與基(ji)體或(huo)大(da)氣(qi)中的(de)組(zu)分相互(hu)作(zuo)用形(xing)成(cheng)的(de)多(duo)原(yuan)子離子所引起的(de)幹擾(rao)。

如(ru)：14N2+——28Si+
        14N16O1H+——31P+

消除：扣空白校(xiao)正、反應/碰撞(zhuang)池(chi)技(ji)術(shu)、另(ling)選(xuan)分析同(tong)位(wei)素。

 

3、氧(yang)化物和氫(qing)氧(yang)化(hua)物離子幹擾(rao)

來(lai)源：由(you)分析物、基體組(zu)分、溶劑(ji)和等(deng)離子氣體等(deng)形(xing)成(cheng)的(de)氧(yang)化(hua)物和氫(qing)氧(yang)化(hua)物所引起的(de)幹擾(rao)。

如(ru)：62TiO+——62Ni+
        65TiO+——65Cu+

消除：優(you)化(hua)實(shi)驗(yan)條件如(ru)功率(lv)、載氣流速、去(qu)溶進(jin)樣、反應/碰撞(zhuang)池(chi)技(ji)術(shu)、校(xiao)正方(fang)法等(deng)。

 

4、儀(yi)器和(he)試樣制備(bei)所引入的(de)雜(za)質(zhi)離子幹擾(rao)

來(lai)源：采(cai)樣錐和(he)分離錐(zhui)材(cai)料中濺(jian)出(chu)的(de)金屬離子以及(ji)試劑(ji)和水(shui)中微(wei)量雜質(zhi)離(li)子所造成(cheng)的(de)幹擾(rao)。

如(ru)：鎳錐中濺(jian)射(she)出(chu)的(de)Ni+約(yue)為(wei)2 ng/mL;
酸和去(qu)離子水(shui)中的(de)Cu+、Zn+為(wei)ng/mL級(ji)

消除：降(jiang)低等(deng)離(li)子體的(de)點位(wei)、使用超(chao)純試劑(ji)和水(shui)、使用硝(xiao)酸溶解固體（因(yin)為(wei)氮的(de)電(dian)離(li)電位高，其(qi)分子離子相當弱）

 

5、基體效應：試樣中各成(cheng)分對分析元(yuan)素(su)測量的(de)總(zong)效應。

來(lai)源：低電(dian)離(li)能(neng)元素(su)的(de)電(dian)離(li)抑(yi)制(zhi)了待(dai)測元(yuan)素(su)的(de)電(dian)離(li)，以及提升量和霧化效率(lv)不(bu)同(tong)影(ying)響分析物的(de)電(dian)離(li)和ICP溫度(du)等(deng)所引起的(de)幹擾(rao)。

消除：稀釋、基(ji)體匹配、標(biao)準加(jia)入、內(nei)標(biao)法或(huo)同(tong)位(wei)素稀釋等(deng)。